K4A8G165WC-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G165WC-BCWE tarafından Samsung Electronics ve K4A8G165WC-BCPB tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4A8G165WC-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $38,00 | — |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organizasyon | 512M x 16 | — |
| Veri Hızı | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0°C to +95°C | — |
| Paket | 96-FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS Gecikme | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| Arayüz | Differential (CK, /CK) | DDR4 (16-bit data bus) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| Bellek Boyutu | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Besleme Gerilimi | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0C to +95C |
| Özellikler | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |