K4A8G165WC-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WC-BCWE بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G165WC-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $38.00 | — |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 16 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C | — |
| پیکیج | 96-FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| انٹرفیس | Differential (CK, /CK) | DDR4 (16-bit data bus) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| میموری سائز | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0C to +95C |
| خصوصیات | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |