K4A8G165WC-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCWE توسط Samsung Electronics و K4A8G165WC-BCPB توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $38.00 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C | — |
| بسته‌بندی | 96-FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| رابط | Differential (CK, /CK) | DDR4 (16-bit data bus) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| دمای کاری | — | 0C to +95C |
| ویژگی‌ها | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |