K4A8G165WC-BCWE vs K4A8G165WC-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WC-BCWE द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WC-BCWE | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $38.00 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 3200 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| पैकेज | 96-FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| इंटरफ़ेस | Differential (CK, /CK) | DDR4 (16-bit data bus) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0C to +95C |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |