K4A8G165WC-BCWE vs YZ48G16V-F9HPI-M مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G165WC-BCWE بواسطة Samsung Electronics و YZ48G16V-F9HPI-M بواسطة Loongtion. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G165WC-BCWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Loongtion |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $38.00 | — |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| العلبة | 96-FBGA | FBGA96 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| الواجهة | Differential (CK, /CK) | DDR4 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| عدد الأطراف | — | 96 |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |
| Refresh | — | Auto-refresh |