K4A8G165WC-BCWE vs YZ48G16V-F9HPI-M مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WC-BCWE توسط Samsung Electronics و YZ48G16V-F9HPI-M توسط Loongtion. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WC-BCWE | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Loongtion |
| دستهبندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | $38.00 | — |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| محدوده دمای کاری | 0°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| بستهبندی | 96-FBGA | FBGA96 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Burst Length | 8 (BL8) / 4 (BC4) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Row Address Bits | 16 | — |
| Column Address Bits | 10 | — |
| رابط | Differential (CK, /CK) | DDR4 |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| JEDEC Standard | JEDEC DDR4 | — |
| ولتاژ تغذیه | — | 1.2 V |
| تعداد پایه | — | 96 |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bits |
| Refresh | — | Auto-refresh |