K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG085WM-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4AAG085WA-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| العلبة | 78FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC-standard) | JEDEC DDR4 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | Main memory / embedded DRAM |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |