K4AAG085WM-BCWE vs K4AAG085WA-BCWE Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4AAG085WM-BCWE tarafından Samsung Electronics ve K4AAG085WA-BCWE tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4AAG085WM-BCWE | K4AAG085WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | DRAM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organizasyon | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Veri Hızı | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Besleme Gerilimi | 1.2 V | 1.2 V |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +85C | 0 C to 85 C |
| Paket | 78FBGA | 78-ball FBGA (9 x 11 mm, 0.8 mm pitch) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Arayüz | DDR4 (JEDEC-standard) | JEDEC DDR4 |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Speed Grade Suffix | -BCWE | — |
| Application Class | Memory IC / Storage Component | Main memory / embedded DRAM |
| Power Reduction vs DDR3 | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Memory Width | — | 8-bit |
| Refresh | — | Auto-refresh (per JEDEC DDR4) |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |