K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646Q مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCK00 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646Q بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| جهد التغذية | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tcase) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Number of Banks | 8 | — |
| زمن الوصول CAS | 11 (at 1600 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |
| Die | — | Q-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |