K4B4G1646D-BCK00 vs K4B4G1646Q مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BCK00 توسط Samsung Electronics و K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BCK00 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| نرخ داده | 1600 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| دمای کاری | 0°C to 95°C (Tcase) | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Number of Banks | 8 | — |
| تأخیر CAS | 11 (at 1600 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (BL8) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | Yes |
| عرض گذرگاه داده | — | 16 bits |
| Die | — | Q-die |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |