K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646D-BHMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BMK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BHMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (TC) |
| العلبة | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| الواجهة | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| جهد التغذية | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| زمن الوصول CAS | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |