K4B4G1646E-BMK0 vs K4B4G1646D-BHMA So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646E-BMK0 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646D-BHMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646E-BMK0 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646E-BMK0 | K4B4G1646D-BHMA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C (TC) |
| Hộp | 96-FBGA | 96-ball FBGA |
| Giao diện | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Latency CAS | — | 13 (at 1866 Mbps) |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |
| Refresh Mode | — | Auto and Self Refresh |