K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIWM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BIWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIWM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | — |
| التنظيم | 2G x 8 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 5600 Mbps per pin |
| جهد التغذية | 1.1 V | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| الواجهة | DDR5 (parallel) | — |
| العلبة | FBGA-82 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| درجة حرارة التشغيل | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Latency (CWL) | — | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) |
| DLL | — | DLL Enabled mode operation |
| On-Die Termination | — | Yes (via Mode Register setting) |
| Internal Calibration | — | Yes (via MPC) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | — | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) |