K4RAH086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIWM So sánh
So sánh chi tiết song song của K4RAH086VB-BCWM bằng Samsung Electronics và K4RAH086VB-BIWM bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor
K4RAH086VB-BCWM ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4RAH086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIWM |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $44,55 | — |
| Kiểu bộ nhớ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 16 Gb | — |
| Tổ chức | 2G x 8 | [DATA_NEEDED: organization x4/x8] |
| Tốc độ dữ liệu | 5600 Mbps | 5600 Mbps per pin |
| Điện áp cung cấp | 1.1 V | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Giao diện | DDR5 (parallel) | — |
| Hộp | FBGA-82 | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | DRAM (volatile) | — |
| Speed Grade | BCWM | — |
| Nhiệt độ hoạt động | Commercial temperature range (per datasheet) | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | 32 (BL32, DDR5 standard) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Trạng thái vòng đời | Active | — |
| Sub-channel Architecture | Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec) | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package (FBGA, ball count)] |
| Bank Groups | — | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| CAS Latency (CWL) | — | Programmable (per Samsung DDR5 16Gb B-die spec) |
| DLL | — | DLL Enabled mode operation |
| On-Die Termination | — | Yes (via Mode Register setting) |
| Internal Calibration | — | Yes (via MPC) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Maximum Data Rate (family, per spec Rev1.0) | — | 4800 Mbps per pin (DDR5-4800, general applications) |