K4RBH165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RBH165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RBH165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | 1.1 V |
| Data Rate Class | DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) | — |
| العلبة | FBGA-106 | 106-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | 0C to +85C |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Write CRC | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Operating Mode | DLL Enabled | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead Free | Yes | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: Refresh Rate] | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| معدل البيانات | — | 4800 Mbps |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| الميزات | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |