K4RCH046VM-2CCM vs K4RHE086VB-BCWM مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RCH046VM-2CCM بواسطة Samsung Electronics و K4RHE086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CCM K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM - DDR5 32Gb 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RCH046VM-2CCM Nrnd
Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4RCH046VM-2CCM K4RHE086VB-BCWM
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة NRND نشط
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 32 Gb 24 Gb
التنظيم 4G x 4 2G x 8
معدل البيانات 5600 Mbps 5600 Mbps
جهد التغذية 1.1 V 1.1 V
درجة حرارة التشغيل 0 to 85 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 78-ball FBGA 82 FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Product Status Sample —
Access Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
نوع الواجهة [DATA_NEEDED: interface type] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] [DATA_NEEDED: on-die ECC support]
الواجهة — DDR5 (JEDEC)
Configuration — x8
Application Segment — Server / Data Center / Premium PC
Manufacturer — Samsung Semiconductor
Access Time / CAS Latency — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Package Height — [DATA_NEEDED: package height]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر