K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K6X0808C1D-BF55 بواسطة Samsung Electronics و K6X0808C1D-GF55T بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ نشطSamsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55T |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| الفئة | DRAM | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| حجم الذاكرة | 256 Kbit | 256 Kbit |
| التنظيم | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| جهد التغذية | 5 V | 5.0 V |
| Technology | CMOS | — |
| العلبة | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Process Technology | — | Full CMOS |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported (per datasheet) |
| Address Bus Width | — | 15 bit |
| عرض ناقل البيانات | — | 8 bit |
| Packaging | — | Tape & Reel (T suffix) |