K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6X0808C1D-BF55 নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K6X0808C1D-GF55T নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ সক্রিয়
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-GF55T
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
ক্যাটাগরি DRAM DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
মেমরি সাইজ 256 Kbit 256 Kbit
সংগঠন 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 55 ns
ইন্টারফেস Parallel Parallel
সাপ্লাই ভোল্টেজ 5 V 5.0 V
Technology CMOS —
প্যাকেজ 28-SOP 28-SOP (450 mil)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Memory Format SRAM —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Refresh Not required (static memory) —
RoHS স্ট্যাটাস unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Process Technology — Full CMOS
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Address Bus Width — 15 bit
ডেটা বাস প্রস্থ — 8 bit
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট