K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6X0808C1D-BF55 بذریعہ Samsung Electronics اور K6X0808C1D-GF55T بذریعہ Samsung Electro-Mechanics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-GF55T
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
زمرہ DRAM DRAM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
میموری سائز 256 Kbit 256 Kbit
تنظیم 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 55 ns
انٹرفیس Parallel Parallel
سپلائی وولٹیج 5 V 5.0 V
Technology CMOS —
پیکیج 28-SOP 28-SOP (450 mil)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Memory Format SRAM —
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Refresh Not required (static memory) —
RoHS اسٹیٹس unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Process Technology — Full CMOS
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Address Bus Width — 15 bit
ڈیٹا بس چوڑائی — 8 bit
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں