K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-BF55 tarafından Samsung Electronics ve K6X0808C1D-GF55T tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ AktifSamsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55T |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| Kategori | DRAM | DRAM |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Bellek Boyutu | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organizasyon | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Arayüz | Parallel | Parallel |
| Besleme Gerilimi | 5 V | 5.0 V |
| Technology | CMOS | — |
| Paket | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| RoHS Durumu | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Process Technology | — | Full CMOS |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported (per datasheet) |
| Address Bus Width | — | 15 bit |
| Veri Bus Genişliği | — | 8 bit |
| Packaging | — | Tape & Reel (T suffix) |