K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF55 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K6X0808C1D-GF55000 بواسطة Samsung Electronics و K6X0808C1D-BF55 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ نشطSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| حجم الذاكرة | 256 Kbit | 256 Kbit |
| التنظيم | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| جهد التغذية | 5 V | 5 V |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة | 28-SOP | 28-SOP |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| نوع الخرج | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | SRAM |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Technology | Low-power CMOS | CMOS |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |