K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF55 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K6X0808C1D-GF55000 מאת Samsung Electronics ו K6X0808C1D-BF55 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor
K6X0808C1D-GF55000 ✓ פעילSamsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K6X0808C1D-GF55000 | K6X0808C1D-BF55 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| גודל זיכרון | 256 Kbit | 256 Kbit |
| ארגון | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| מתח אספקה | 5 V | 5 V |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | 28-SOP | 28-SOP |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Write Cycle Time | [DATA_NEEDED: write cycle time] | — |
| סוג פלט | Three-state, common data I/O | — |
| Control Signals | CE, OE, WE (active low) | CE, OE, WE |
| Memory Format | Volatile, no refresh required | SRAM |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Technology | Low-power CMOS | CMOS |
| Clock Frequency | — | N/A (asynchronous) |
| Refresh | — | Not required (static memory) |