K9LCG08U1M vs K9XXG08UXM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9LCG08U1M بواسطة Samsung Electronics و K9XXG08UXM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K9LCG08U1M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Flash | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| نوع الذاكرة | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | — |
| التنظيم | x8 I/O | — |
| الواجهة | Asynchronous multiplexed NAND I/O | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (single-level cell) NAND |
| العلبة | BGA | 48-pin TSOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: supply voltage] | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| حجم الذاكرة | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |