K9LCG08U1M vs K9XXG08UXM Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9LCG08U1M tarafından Samsung Electronics ve K9XXG08UXM tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K9LCG08U1M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Flash | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Obsolete |
| Bellek Türü | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | — |
| Organizasyon | x8 I/O | — |
| Arayüz | Asynchronous multiplexed NAND I/O | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (single-level cell) NAND |
| Paket | BGA | 48-pin TSOP |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Besleme Gerilimi | [DATA_NEEDED: supply voltage] | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| RoHS Durumu | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| Bellek Boyutu | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |