K9LCG08U1M vs K9XXG08UXM तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9LCG08U1M द्वारा Samsung Electronics और K9XXG08UXM द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9LCG08U1M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Flash | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | Obsolete |
| मेमोरी प्रकार | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | — |
| संगठन | x8 I/O | — |
| इंटरफ़ेस | Asynchronous multiplexed NAND I/O | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (single-level cell) NAND |
| पैकेज | BGA | 48-pin TSOP |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: supply voltage] | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| मेमोरी आकार | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |