K9LCG08U1M vs K9XXG08UXM השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K9LCG08U1M מאת Samsung Electronics ו K9XXG08UXM מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K9LCG08U1M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Flash | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | Obsolete |
| סוג זיכרון | NAND Flash, MLC | — |
| Density | 64 Gbit (8 GB) | — |
| ארגון | x8 I/O | — |
| ממשק | Asynchronous multiplexed NAND I/O | — |
| Cell Type | MLC (2 bits per cell) | SLC (single-level cell) NAND |
| מארז | BGA | 48-pin TSOP |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מתח אספקה | [DATA_NEEDED: supply voltage] | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| סטטוס RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Ordering Codes | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB | — |
| גודל זיכרון | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |