L9779WDM-TR vs L9779WD-TR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ L9779WDM-TR بواسطة STMicroelectronics و L9779WD-TR بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

STMicroelectronics
L9779WDM-TR L9779WDM-TR - Automotive Quad Low-Side Driver | STMicroelectronics

L9779WDM-TR - Automotive Quad Low-Side Driver | STMicroelectronics

L9779WDM-TR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل L9779WDM-TR L9779WD-TR
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Number of Channels 4 —
نوع الخرج Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
تيار السكون 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
الواجهة SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +150C —
العلبة SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (power package, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 3 (168 hours) —
حالة RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
الوظيفة — Multifunction IC for engine management
البنية الطوبولوجية — Engine Management PMIC with MSC interface
Process Technology — BCD6S
Supply Voltage (VBAT) — Up to 18 V typ., load-dump tolerant
Number of 5 V Sensor Supplies — 5 (current-limited)
Injector Low-Side Drivers — 4 x low-side drivers
Lamp/Relay Pre-Drivers — 4 x low-side pre-drivers
Communication Interface — MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR)
Watchdog — Yes (integrated)
KEY_ON Input — Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode)
Charge Pump — Yes (internal, for N-channel FET drive)
الإيقاف الحراري — Yes
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر