L9779WDM-TR vs L9779WD-TR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma L9779WDM-TR tarafından STMicroelectronics ve L9779WD-TR tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre L9779WDM-TR L9779WD-TR
Marka STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Number of Channels 4 —
Çıkış Türü Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
Durağan Akım 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
Arayüz SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +150C —
Paket SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (power package, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 3 (168 hours) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
Fonksiyon — Multifunction IC for engine management
Ağ Yapısı — Engine Management PMIC with MSC interface
Process Technology — BCD6S
Supply Voltage (VBAT) — Up to 18 V typ., load-dump tolerant
Number of 5 V Sensor Supplies — 5 (current-limited)
Injector Low-Side Drivers — 4 x low-side drivers
Lamp/Relay Pre-Drivers — 4 x low-side pre-drivers
Communication Interface — MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR)
Watchdog — Yes (integrated)
KEY_ON Input — Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode)
Charge Pump — Yes (internal, for N-channel FET drive)
Termal Kapatma — Yes
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin