L9779WDM-TR vs L9779WD-TR השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של L9779WDM-TR מאת STMicroelectronics ו L9779WD-TR מאת STMicroelectronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

STMicroelectronics
L9779WDM-TR L9779WDM-TR - Automotive Quad Low-Side Driver | STMicroelectronics

L9779WDM-TR - Automotive Quad Low-Side Driver | STMicroelectronics

L9779WDM-TR ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר L9779WDM-TR L9779WD-TR
מותג STMicroelectronics STMicroelectronics
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Number of Channels 4 —
סוג פלט Low-Side Open-Drain —
Supply Voltage Range 4.5 V to 40 V —
Maximum Output Current per Channel 1 A —
On-Resistance (Typical) 0.5 ohm —
זרם מנוחה 10 uA (standby) —
PWM Frequency Up to 20 kHz —
ממשק SPI —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +150C —
מארז SOIC-20 (SO-20) HiQUAD-64 (power package, exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 3 (168 hours) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Qualified —
פונקציה — Multifunction IC for engine management
טופולוגיה — Engine Management PMIC with MSC interface
Process Technology — BCD6S
Supply Voltage (VBAT) — Up to 18 V typ., load-dump tolerant
Number of 5 V Sensor Supplies — 5 (current-limited)
Injector Low-Side Drivers — 4 x low-side drivers
Lamp/Relay Pre-Drivers — 4 x low-side pre-drivers
Communication Interface — MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR)
Watchdog — Yes (integrated)
KEY_ON Input — Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode)
Charge Pump — Yes (internal, for N-channel FET drive)
כיבוי תרמי — Yes
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר