M29F160FT55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FT55N3F2 M29F200FT55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Flash Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash, Parallel
Density 16 Mbit (16777 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
التنظيم 1M x 16 / 2M x 8 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 1000 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
الواجهة Parallel Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-Pin TSOP 48-pin TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (TR suffix)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر