M29F800FB55N3E2 vs M29F800FB55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FB55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F800FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FB55N3E2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | EEPROM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حجم الذاكرة | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, SLC, Parallel | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| التنظيم | Bottom boot (B suffix) | 1M x 8 / 512K x 16 |
| عرض ناقل البيانات | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | — |
| العلبة | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| حالة RoHS | Compliant (E suffix) | Compliant (lead-free terminations) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| جهد التغذية | — | 5 V |
| نوع الواجهة | — | Parallel NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |