M29F800FB55N3E2 vs M29F800FB55N3F2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55N3E2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F800FB55N3E2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | EEPROM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Boyutu | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| Bellek Türü | NOR Flash, SLC, Parallel | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| Arayüz | Parallel | — |
| Organizasyon | Bottom boot (B suffix) | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Veri Bus Genişliği | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | — |
| Paket | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (E suffix) | Compliant (lead-free terminations) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Besleme Gerilimi | — | 5 V |
| Arayüz Türü | — | Parallel NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |