M29F800FB55N3E2 vs M29F800FB55N3F2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F800FB55N3E2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F800FB55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 - 8Mb 5V 55ns NOR Flash TSOP-48 | Micron

M29F800FB55N3E2 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3F2
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি EEPROM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি সাইজ 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) —
মেমরি টাইপ NOR Flash, SLC, Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage Min 4.5 V —
Supply Voltage Max 5.5 V —
ইন্টারফেস Parallel —
সংগঠন Bottom boot (B suffix) 1M x 8 / 512K x 16
ডেটা বাস প্রস্থ 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) —
প্যাকেজ 48-pin TSOP Type I (N suffix) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) -40C to +125C
Packing Tray (blank suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (E suffix) Compliant (lead-free terminations)
Programming Operations READ, ERASE, PROGRAM via command set —
Write Protection Block protection with lockable boot block —
Status Output RB# (Ready/Busy) —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 5 V
ইন্টারফেস টাইপ — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)
Packaging — Tape & Reel (T/R)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট