M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F800FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FB55N3F2 | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| التنظيم | 1M x 8 / 512K x 16 | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| جهد التغذية | 5 V | 5 V (single supply) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| نوع الواجهة | Parallel NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Top boot block (T) |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Package Type | 48-pin TSOP1 | — |
| Package Shape | Rectangular (JESD designation TSOP1) | — |
| Terminal Count | 48 | — |
| JESD-609 Termination Code | e3 (lead-free) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T/R) |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free terminations) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| نوع الذاكرة | — | NOR Flash, Parallel |
| حجم الذاكرة | — | 8 Mbit |
| الواجهة | — | Parallel |
| Programming Voltage | — | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| العلبة | — | 48-pin TSOP |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |