M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FB55N3F2 M29F800FT55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Organizasyon 1M x 8 / 512K x 16 1M x 8 bit / 512K x 16 bit
Besleme Gerilimi 5 V 5 V (single supply)
Access Time 55 ns 55 ns
Arayüz Türü Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Top boot block (T)
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (T/R)
RoHS Durumu Compliant (lead-free terminations) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bellek Türü — NOR Flash, Parallel
Bellek Boyutu — 8 Mbit
Arayüz — Parallel
Programming Voltage — 5.0 V VCC (no 12 V VPP required)
Paket — 48-pin TSOP
Erase Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin