M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55N3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FT55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F400FT55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron
M29F400FT55N3E2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55N3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | 4 Mbit (512K x 8) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| جهد التغذية | 5 V | 5 V (single supply) |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Top boot (FT variant) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| العلبة | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | [DATA_NEEDED: Data Retention] |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Programming Supply | — | No 12 V VPP required (5.0 V programming) |
| Command Set | — | JEDEC standard compatible |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: Active Current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Block Protection | — | Hardware block protection |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |