M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55N3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FT55N3E2 توسط Micron Technology و M29F400FT55N3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FT55N3E2 M29F400FT55N3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits 4 Mbit (512K x 8)
Access Time 55 ns 55 ns
ولتاژ تغذیه 5 V 5 V (single supply)
رابط Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block Top boot (FT variant)
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
بسته‌بندی 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles]
Data Retention >20 years (typical for family) [DATA_NEEDED: Data Retention]
Ready/Busy Output Yes —
وضعیت RoHS Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Programming Supply — No 12 V VPP required (5.0 V programming)
Command Set — JEDEC standard compatible
Active Read Current — [DATA_NEEDED: Active Current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Block Protection — Hardware block protection
سطح MSL — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت