M29F800FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F800FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F800FT55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, Parallel | — |
| حجم الذاكرة | 8 Mbit | — |
| التنظيم | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 8 / 512K x 16 |
| جهد التغذية | 5 V (single supply) | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | — |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | Bottom Boot Block |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| العلبة | 48-pin TSOP | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T/R) |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free terminations) |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| نوع الواجهة | — | Parallel NOR |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |