M29F800FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F800FB55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FT55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash, Parallel | — |
| मेमोरी आकार | 8 Mbit | — |
| संगठन | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 8 / 512K x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V (single supply) | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | Bottom Boot Block |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| पैकेज | 48-pin TSOP | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T/R) |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free terminations) |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel NOR |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |