M29F800FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FB55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F800FT55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash, Parallel | — |
| Bellek Boyutu | 8 Mbit | — |
| Organizasyon | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Besleme Gerilimi | 5 V (single supply) | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Arayüz | Parallel | — |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | Bottom Boot Block |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| Paket | 48-pin TSOP | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T/R) |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free terminations) |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Arayüz Türü | — | Parallel NOR |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |