M29F800FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F800FT55N3F2 bằng Micron Technology và M29F800FB55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F800FT55N3F2 M29F800FB55N3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash, Parallel —
Kích thước bộ nhớ 8 Mbit —
Tổ chức 1M x 8 bit / 512K x 16 bit 1M x 8 / 512K x 16
Điện áp cung cấp 5 V (single supply) 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Giao diện Parallel —
Boot Block Architecture Top boot block (T) Bottom Boot Block
Programming Voltage 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) —
Hộp 48-pin TSOP —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (T/R)
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Erase Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free terminations)
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Loại giao diện — Parallel NOR
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá