M29W160ET70N3E vs M29DW323DB70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160ET70N3E بواسطة Micron Technology و M29DW323DB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29DW323DB70N3E M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E - 32Mb NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29DW323DB70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160ET70N3E M29DW323DB70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) Flash - NOR
حجم الذاكرة 16 Mbit —
التنظيم 2M x 8 / 1M x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel Parallel
جهد التغذية 3 V / 3.3 V (nominal) 3 V class (per manufacturer datasheet)
Boot Block Location Top boot Bottom (DB variant)
العلبة 48-TSOP 48-TSOP I
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
حالة RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Memory Format — FLASH
Technology — FLASH - NOR Memory IC
Density — 32 Mb (4M x 8, 2M x 16)
Memory Organization — 4M x 8 / 2M x 16
Byte/Word Organization Select — Yes (BYTE pin)
Applications Domain — Embedded code storage / XIP
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: standard pack quantity]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر