M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FT55N3E بواسطة Micron Technology و M29W400FB55N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FT55N3E M29W400FB55N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Flash - NOR Memory IC NOR Flash
حجم الذاكرة 4 Mbit 4 Mbit
الواجهة Parallel Parallel (asynchronous)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive —
العلبة 48-TSOP I 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
التنظيم — 512K x8 / 256K x16
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Block Architecture — Boot block with hardware sector protection
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر