M29W400FT55N3E vs M29W400FB55N3F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W400FT55N3E द्वारा Micron Technology और M29W400FB55N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W400FB55N3F M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F - 4Mbit 55ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W400FB55N3F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W400FT55N3E M29W400FB55N3F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार Flash - NOR Memory IC NOR Flash
मेमोरी आकार 4 Mbit 4 Mbit
इंटरफ़ेस Parallel Parallel (asynchronous)
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive —
पैकेज 48-TSOP I 48-pin TSOP I (12 x 20 mm)
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray Tape & Reel (TR)
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
संगठन — 512K x8 / 256K x16
Program/Erase Supply — Single 2.7 V to 3.6 V
Byte/Word Select — BYTE# pin
Block Architecture — Boot block with hardware sector protection
Program Suspend/Erase Suspend — Supported
Lead-Free / RoHS — Yes (F suffix = lead-free RoHS-compliant)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles per block]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

डेटाशीट और संसाधन

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