M29W800FB70N3E vs M29W800FB70ZA3SE مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W800FB70ZA3SE بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FB70N3E M29W800FB70ZA3SE
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط Obsolete
نوع الذاكرة NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
التنظيم 512K x 16 / 1M x 8 1 M x 8 / 512 K x 16
عرض ناقل البيانات x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
الواجهة Parallel Parallel, address/data bus
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TFBGA (6 x 8 mm)
عدد الأطراف 48 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
حجم الذاكرة — 8 Mbit
جهد التغذية — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر