M29W800FB70N3E vs M29W800FB70ZA3SE مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W800FB70N3E توسط Micron Technology و M29W800FB70ZA3SE توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W800FB70N3E M29W800FB70ZA3SE
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال Obsolete
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
سازمان 512K x 16 / 1M x 8 1 M x 8 / 512 K x 16
عرض گذرگاه داده x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
رابط Parallel Parallel, address/data bus
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TFBGA (6 x 8 mm)
تعداد پایه 48 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
اندازه حافظه — 8 Mbit
ولتاژ تغذیه — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت