M29W800FB70N3E vs M29W800FB70ZA3SE השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W800FB70N3E מאת Micron Technology ו M29W800FB70ZA3SE מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete

השוואת מפרטים

פרמטר M29W800FB70N3E M29W800FB70ZA3SE
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל Obsolete
סוג זיכרון NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
ארגון 512K x 16 / 1M x 8 1 M x 8 / 512 K x 16
רוחב אפיק נתונים x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read —
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
ממשק Parallel Parallel, address/data bus
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TFBGA (6 x 8 mm)
מספר פינים 48 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
גודל זיכרון — 8 Mbit
מתח אספקה — 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class)
Technology — SLC NOR
Boot Block Architecture — Bottom boot block (FB)
Qualification — AEC-Q100 automotive
Packaging — Tray
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]
Standby Current — [DATA_NEEDED: ICC standby]
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר