MMBT3904-AQ vs MMBT3904-7-F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMBT3904-AQ بواسطة Diotec Semiconductor و MMBT3904-7-F بواسطة Diodes Incorporated. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc
MMBT3904-7-F ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MMBT3904-AQ | MMBT3904-7-F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Diotec Semiconductor | Diodes Incorporated |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | NPN | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| العلبة | SOT-23-3 (TO-236) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | 40 V | 40 V |
| جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) | 60 V | 40 V |
| جهد الباعث-القاعدة (Vebo) | 6 V | 6 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 200 mA | 200 mA |
| Power Dissipation (Pd) | 350 mW | — |
| تردد الانتقال (ft) | 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) | 300 MHz minimum |
| DC Current Gain (hFE) | 100 to 300 | 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Pin Configuration | Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector | — |
| Die Construction | Epitaxial planar | Epitaxial Planar |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 mW |
| جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) | — | 200 mV typical @ IC=10 mA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |
| العلبة / الحالة | — | SOT-23-3 |
| Complementary PNP Type | — | MMBT3906-7-F |
| RoHS Compliance | — | Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) |