MRF6S18100NBR1 vs MRF5S19060NBR1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF6S18100NBR1 بواسطة NXP Semiconductors و MRF5S19060NBR1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF6S18100NBR1 MRF6S18100NBR1 - 100W RF LDMOS Power Transistor | NXP

MRF6S18100NBR1 - 100W RF LDMOS Power Transistor | NXP

MRF6S18100NBR1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF5S19060NBR1 MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 - 60W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz | NXP

MRF5S19060NBR1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF6S18100NBR1 MRF5S19060NBR1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
نوع الترانزستور LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS RF Power)
Application RF Power Amplifier (GSM/GSM EDGE base station) —
Frequency Range 1805 MHz to 1990 MHz —
Test Frequency 1.99 GHz —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 68 V —
Test Supply Voltage (VDD) 28 V —
Test Drain Current 900 mA —
Output Power (Pout) 100 W —
Power Gain (Gps) 14.5 dB (typical at 1.99 GHz) —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
العلبة / الحالة TO-272 WB-4 —
Supplier Device Package TO-272 WB-4 —
نوع التركيب Surface Mount / Flange Mount Surface Mount (SMD)
Configuration Single, common-source Dual Die (2 x N), Common Source
حالة RoHS Compliant (per NXP product page) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Operating Mode Class AB / Class C (per design) —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Frequency Band — 1930 MHz to 1990 MHz
Output Power (P1dB) — 60 W (CW/peak)
Output Power (Average) — 12 W avg.
Drain Supply Voltage — 28 V (typical)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 65 V (max)
Power Gain — 14 dB at 1.99 GHz
Drain Current — 750 mA (typical operating DC)
العلبة — TO-272 WB-4 (overmolded plastic)
عدد الأطراف — 5
Peak Reflow Temperature — 260 C
Maximum Power Dissipation (Absolute) — 218.8 W
Technology — Silicon LDMOS
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر