MRF6S21050LR5 vs MRF6S21050LSR5 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF6S21050LR5 بواسطة NXP Semiconductors و MRF6S21050LSR5 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
NXP Semiconductors
MRF6S21050LSR5 - 11.5W W-CDMA RF Power MOSFET | NXP | NI-400S
MRF6S21050LSR5 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MRF6S21050LR5 | MRF6S21050LSR5 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS) | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | HV6 LDMOS | LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 28 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 450 mA | — |
| Output Power (Pout) | 11.5 W | 11.5 W CW |
| Power Gain (Gp) | 16 dB at 2.16 GHz | — |
| Operating Frequency | 2.16 GHz (W-CDMA band) | — |
| Test Conditions | 2.16 GHz, 28 V, W-CDMA modulation | — |
| العلبة / الحالة | NI-400 (ceramic flanged) | NI-400S (ceramic, 2-flange) |
| نوع التركيب | Flange mount, chassis-mount | Surface Mount / Screw-Mount |
| Configuration | Single N-channel | Single, Common Source |
| سعة الدخل | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| سعة الخرج | [DATA_NEEDED: output capacitance] | — |
| Thermal Resistance (Rthj-c) | [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +150C (junction) | — |
| مستوى MSL | Not applicable (ceramic flanged) | — |
| حالة RoHS | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| ESD Protection | Yes (integrated, per device family) | — |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Maximum | — | 65 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Nominal Operating Drain Voltage | — | 28 V |
| Typical Operating Frequency | — | 2.16 GHz (2110-2170 MHz W-CDMA band) |
| Power Gain (Gps) | — | 16 dB typical at 2.16 GHz |
| Drain Current (ID) at Test | — | 450 mA |
| Application | — | W-CDMA, TDMA, CDMA, multicarrier base-station PA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Operating Mode | — | Class AB |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |